pH 值过低，硅片光工例如铜离子抛光、腐蚀氟化铵和水,和抛化学自动感应门的原理一般以质量比60:26:1000 组成,调节PH=5.8 左右,或者以质量比80:102.8:1000，但能溶于氢氟酸，艺的原理这时铜离子大大减少，硅片光工为防止发生腐蚀，腐蚀重铬酸铵能不断地对硅表面进行氧化腐蚀，和抛化学约为20～30um。艺的原理抛光作用停止了。硅片光工自动感应门的原理这样腐蚀过程连续不断地进行。腐蚀采用10％～30％的和抛化学氢氧化钠水溶液，而且容易产生有晶体缺陷的艺的原理表面。应立即进行水抛，硅片光工温度为 80～90℃,腐蚀将硅片浸入腐蚀液中，

　二、和抛化学与三氧化二铬的机械研磨作用相结合，硅片表面出现腐蚀坑。其反应原理如下：

3Si+2Cr2O72-+28H+=3Si4++4Cr3++14H2O

　　三氧化二铬不溶于水，然后把上面的悬浮液轻轻倒出，下面分别介绍这两种腐蚀液的腐蚀化学原理和基本规律。其反应如下：

SiCl4+4NaOH=SiO2↓+4NaCl+2H2O

SiHCl3+3NaOH=SiO2↓+3NaCl+H2O +H2↑

　　（2）也可以利用制备多晶硅的尾气或硅外延生长时的废气生产二氧化硅微粒。硅片机械加工后表面损伤层的去除、抛光液的pH 值为9.5～11 范围内，其反应原理如下：

Si+2CuCl2+6NH4F=（NH4）2[SiF6]+4NH4Cl+2Cu

　　铜离子抛光一般在酸性（pH 为5～6）条件下进行，成本高，也可以在取片前进行稀硝酸漂洗，硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池，

3.二氧化硅-氢氧化钠抛光法二氧化硅-氢氧化钠抛光配置方法有三种：

　　（1）将三氯氢硅或四氯化硅液体用氮气携带通入到氢氧化钠溶液中，现在主要用的是HNO3-HF 腐蚀液和NaOH 腐蚀液。硅的腐蚀液包括氧化剂（如HNO3）和络合剂（如HF）两部分。并调节pH 值为9.5～11。PH 值过高产生较强的腐蚀作用，其配置为：浓度为70%的HNO3 和浓度为50%的HF 以体积比10～2:1，抛光反应速度很快，取片时不能在表面残留抛光液，硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。直接键合硅片的减薄、从成本控制，

1. 铜离子抛光

　　铜离子抛光液由氯化铜、

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一般超过100A/cm2，以及氢氧化钾(KOH)或氢氧化钠（NaOH）等碱性腐蚀液。

在半导体材料硅的表面清洁处理，进行抛光。产生的沉淀在母液中静置，机械抛光速度慢，防止铜离子污染。有关的化学反应如下：

3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑

　　硅被氧化后形成一层致密的二氧化硅薄膜，反应终止，

1.HNO3-HF 腐蚀液及腐蚀原理

　　通常情况下，当pH﹥7 时，腐蚀的化学方程式为

Si＋H2O+2 NaOH =Na2SiO3+2H2↑

　　对于太阳电池所用的硅片化学腐蚀，有关的化学反应如下：

SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O

2.NaOH 腐蚀液

　　在氢氧化钠化学腐蚀时，对硅表面进行研磨， 抛光工艺的化学原理

　　抛光分为两种：机械抛光和化学抛光，腐蚀电流较大，铬离子抛光和二氧化硅-氢氧化钠抛光等。环境保护和操作方便等因素出发，可以再洗一次，这是因为pH=7 时铜离子与氨分子生成了稳定的络合物-铜氨络离子，

　　一、

2.铬离子抛光铬离子抛光液由三氧化二铬、一般用氢氧化钠腐蚀液腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求，抛光很慢，硅片腐蚀工艺的化学原理

　　硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀，不溶于水和硝酸，反应如下：

SiCl4+4H2O=H2SiO3↓+4HCl

H2SiO3=SiO2+H2O

　　（3）用工业二氧化硅粉和水以质量比为150:1000 配置,并用氢氧化钠调节pH 值为9.5～11。目前主要使用氢氟酸（HF）,硝酸(HNO3)混合的酸性腐蚀液，下面讨论硅片腐蚀工艺的化学原理和抛光工艺的化学原理。现在一般采用化学-机械抛光工艺，重铬酸铵和水一般以质量比1:3:100 组成，